[发明专利]全抛釉瓷片及其制备方法无效
| 申请号： | 201210242192.8 | 申请日： | 2012-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN102731169A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 詹长春;柯美云;赵达峰;陈宗玲 | 申请（专利权）人： | 佛山市科捷制釉有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/86 | 分类号： | C04B41/86 |
| 代理公司： | 广州三辰专利事务所 44227 | 代理人： | 吴清瑕 |
| 地址： | 528042 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全抛釉瓷片及其制备方法。全抛釉瓷片包括坯体层、底釉层、面釉层、花釉层，在花釉层上表面设有全抛釉层，所述全抛釉层按重量百分比包括全抛釉熔块64%~71%，生料0~7%，水25~32%，助料0.1~0.5%，其中全抛釉熔块所用原料为：钾长石、方解石、烧滑石、氧化锌、硼酸、碳酸钡、氧化铝、石英，生料为气刀土或高岭土。本发明用于瓷片装饰，得到的瓷片的釉面效果好，釉层透明度高，抛后光亮，平整度高，更能体现釉下图案分明的纹理层次、质感丰富，且砖形变形小、抗热震性好，镜面效果高，通透质感强。 | ||
| 搜索关键词： | 全抛釉 瓷片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
全抛釉瓷片，包括坯体层、底釉层、面釉层、花釉层，其特征在于在花釉层上表面设有全抛釉层，所述全抛釉层包括按重量百分比全抛釉熔块64%~71%，生料0~7%，水25~32%,助料0.1~0.5%，其中全抛釉熔块所用原料为：钾长石、方解石、烧滑石、氧化锌、硼酸、碳酸钡、氧化铝、石英，生料为气刀土或高岭土。
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