[发明专利]一种石墨烯负载八面体氧化镍复合材料及其制备方法有效
申请号: | 201210239780.6 | 申请日: | 2012-07-12 |
公开(公告)号: | CN102769124A | 公开(公告)日: | 2012-11-07 |
发明(设计)人: | 赵兵;蒋永;方涛;陈丹丹;庄华;刘鹏;蔡新辉;马启亮 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/52 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 陆聪明 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种石墨烯负载八面体氧化镍复合材料及其制备方法。称取一定质量氧化石墨固体,在有机溶剂中超声溶解,加入一定质量的水溶性镍盐、沉淀剂和表面活性剂,100~160℃下回流6~20h,离心、干燥。将制备的前驱体样品放入管式炉中,在300℃和惰性气体保护下煅烧,接着300~500℃在马弗炉中煅烧,得到石墨烯负载八面体氧化镍复合材料。本发明得到的氧化镍为独特的八面体结构,八面体氧化镍在石墨烯上生长,增加了氧化镍颗粒之间的导电性,石墨烯作为导电骨架,复合材料的放电比容量有明显地提高,循环稳定性也有一定的改善。合成的材料还可应用于光催化等领域,有利于研究不同结构的氧化镍材料对其应用性能的影响。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 负载 八面体 氧化 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种石墨烯负载八面体氧化镍复合材料,其特征在于,以单层石墨烯作为基体骨架,八面体氧化镍在单层石墨烯上生长,生长在石墨烯片上的八面体氧化镍颗粒尺寸在10‑150nm之间;复合石墨烯纳米片的平面尺寸在0.1‑50μm,厚度在1‑20nm。
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