[发明专利]一种太阳能薄膜电池及其制造方法

摘要

本发明公开了一种太阳能薄膜电池的结构及其制造方法，本发明的太阳能薄膜电池采用晶体硅片作为衬底，正面经退火处理后形成a-Si:H钝化层，再覆盖非晶硅薄膜层，可以修复和钝化正面由于RIE制绒后产生的缺陷以及晶体硅体内和表面固有的缺陷，并且在正面能形成良好的p-i-n结构，采用TCO覆盖表面可以很好的收集光生电流；背面用Al2O3钝化并覆盖SixNy层和背铝层，以保护Al2O3层在烧结时不被破坏，可以良好的钝化背面缺陷，如此结构烧结时候也不容易弯曲，可以减薄硅片的厚度，大大节约了电池的成本。

主权项

一种太阳能薄膜电池，其特征在于，包括衬底（100），位于有光线入射的衬底（100）的前表面的本征层（106），位于本征层（106）上的掺杂层（105），以及覆盖在掺杂层（105）上的防反射导电薄膜层（104），位于与所述衬底（100）的所述前表面相对且没有光线入射的后表面上的钝化层（107），位于钝化层（107）上的氮化硅薄膜层（108），位于氮化硅薄膜层（108）外并通过氮化硅薄膜层（108）与钝化层（107）深入到衬底（100）的背铝层（109），以及连接到掺杂层（105）的多个前电极（101）和位于背铝层（109）上的后电极（102）。