[发明专利]一种热释电光谱探测器的制备方法

摘要

本发明属于光电及微机电系统技术领域，涉及一种热释电光谱探测器的制备方法，特别涉及一种用于有毒有害气体分析仪的热释电光谱探测器的制备方法。共分七步制备而成，本发明所提供的方法采用无机-有机杂化的多孔SiO2薄膜材料作为热绝缘结构，克服了目前采用微桥结构、悬空结构和空气隙结构作为集成式器件热绝缘结构的存在的机械强度差、容易发生龟裂、坍塌、脱落等问题，提高了集成式热释电光谱探测器芯片的力学性能及抗冲击性能。

主权项

一种热释电光谱探测器的制备方法，其特征在于：其步骤如下：步骤一，以硅单晶为基体，在其上制备无机‑有机杂化的多孔SiO2薄膜为热绝缘结构薄膜；步骤二，采用直流磁控溅射法在无机‑有机杂化的多孔SiO2薄膜上制备铂/钛金属薄膜为下电极薄膜并采用正胶剥离法完成图形化，其大小尺寸根据设计要求而定；步骤三，采用射频磁控溅射法或溶胶凝胶法在铂/钛金属薄膜上制备光电薄膜并采用干发及湿发腐蚀法完成图形化，其大小尺寸根据设计要求而定；步骤四，采用直流磁控溅射法或真空热蒸发法在光电薄膜上制备上电极薄膜并采用干发及湿发腐蚀法完成图形化，其大小尺寸根据设计要求而定；步骤五，采用等离子增强化学沉积法在上电极薄膜上生长一层芯片保护层，并按设计要求完成划片；步骤六，按设计要求按常规方法制备基于阻抗变换的信号处理电路，并完成芯片与信号处理电路板之间的粘接及引线焊接；步骤七，按设计要求将芯片与信号处理电路板封装于带红外窗口及底座的外壳中，即完成了集成式热释电光谱探测器的制作。