[发明专利]一种山药的培植法无效
| 申请号： | 201210217265.8 | 申请日： | 2012-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103503773A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 刘罗凡 | 申请（专利权）人： | 刘罗凡 |
| 主分类号： | A01H4/00 | 分类号： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 742500 甘肃省陇*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种山药的培植法，涉及一种药用植物的种植方法，属于农业种植领域。将山药块放入生化培养箱进行催芽，直至从山药上萌发的芽眼长成0.2～0.4cm高的小芽待芽眼完全萌发；培养条件为：26～28℃暗培养；将带芽块茎经常规消毒后，接种到含有活性炭的MS培养基上进行培养；培养条件为：16h光照，光照强度10～30μmol m-2.s-1，温度为26～28℃；8h暗培养，温度为20～22℃；上述光照和暗培养交替进行。其有益效果在于：有助于打破块茎休眠能够保证诱导获得一定量的无菌苗，从而诱导获得试管块茎，且块茎田间移栽成活率达到100％；且不受季节等因素影响，高效、快速提供优质山药的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 山药 培植 | ||
【主权项】：
一种山药的培植法，其特征在于：将山药块放入生化培养箱进行催芽，直至从山药上萌发的芽眼长成0.2～0.4cm高的小芽待芽眼完全萌发；培养条件为：26～28℃暗培养；将带芽块茎经常规消毒后，接种到含有活性炭的MS培养基上进行培养；培养条件为：16h光照，光照强度10～30umol m‑2.s‑1，温度为26～28℃；8h暗培养，温度为20～22℃；上述光照和暗培养交替进行。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于刘罗凡，未经刘罗凡许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210217265.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
