[发明专利]高精度氧化铝陶瓷基板1瓦2dB衰减片无效
| 申请号： | 201210216537.2 | 申请日： | 2012-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102709641A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 陈建良 | 申请（专利权）人： | 苏州市新诚氏电子有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/22 | 分类号： | H01P1/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215129 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高精度氧化铝陶瓷基板1瓦2dB衰减片，其包括一长3.5mm、宽2mm、厚度0.635mm的高导热氧化铝陶瓷基板，所述氧化铝陶瓷基板的正面印刷有高纯度银浆导线，所述银浆导线通过高温烧结膜状电阻连通，所述氧化铝陶瓷基板的背面印刷有高纯度银浆背导层，所述正导和背导通过低温银浆导通。该衰减片在案设计上充分考虑了各项性能指标，高频无感，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，能够满足目前3G网络的应用要求，同时延伸了1瓦固定膜状电阻式衰减片的系列产品线。 | ||
| 搜索关键词： | 高精度 氧化铝陶瓷 db 衰减 | ||
【主权项】：
一种高精度氧化铝陶瓷基板1瓦2dB衰减片，其特征在于：包括一长3.5mm、宽2mm、厚度0.635mm的高导热氧化铝陶瓷基板，所述氧化铝陶瓷基板的正面印刷有高纯度银浆导线，所述银浆导线通过高温烧结膜状电阻连通，所述氧化铝陶瓷基板的背面印刷有高纯度银浆背导层，所述正导和背导通过低温银浆导通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州市新诚氏电子有限公司，未经苏州市新诚氏电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210216537.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：中置柜组合操作工具
- 下一篇：一种带复合层的内燃机活塞及其制造方法
