[发明专利]用于监控晶体生长状态的方法、探测系统及设备无效
| 申请号： | 201210204701.8 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN103160935A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 谢佳颖;张祁豪;扈醒华 | 申请（专利权）人： | 志圣工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;G01F23/04 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 张雅军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于监控晶体生长状态的方法，是在晶体生长过程中实时测量固-液界面的多个量测点的高度以计算出固-液界面的形状，并依据所得信息优化制程参数，使固-液界面在晶体生长过程保持中央凸起的形状并具有预定的曲率；一种监控晶体生长状态的设备，包含一腔体、一设于该腔体内的坩埚、一加热系统、一探测系统及一控制系统；该用于监控晶体生长状态的探测系统，适于设置在用于生长晶体的腔体，包括一轴封、一探棒、一升降旋转机构、一力量感测装置、一位置感测装置。本发明可以提高长晶质量及排杂能力从而提高晶碇的成品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 监控 晶体生长 状态 方法 探测 系统 设备 | ||
【主权项】：
一种用于监控晶体生长状态的方法，其特征在于：在晶体生长过程中实时测量固‑液界面的多个量测点的高度以计算出固‑液界面的形状，并依据所得信息优化制程参数，使固‑液界面在晶体生长过程保持中央凸起的形状并具有预定的曲率。
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