[发明专利]一种用于片上静电释放保护的双反馈的电源钳位无效
| 申请号： | 201210204491.2 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102723702A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 颜丙勇;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于片上静电释放保护的双反馈的电源钳位，包括在VDD和GND之间采用RC触发的晶体管反馈电路，其中，所述反馈电路包括一P型级联晶体管和一N型级联晶体管，还包括有一电阻，所述电阻用于降低电路正常工作时的大尺寸晶体管电压；所述反馈电路还具有Filter电位点、INV1OUT电位点、INV2OUT电位点和栅极电位点。使用本发明，通过一个P型级联晶体管和一个N型级联晶体管来形成的反馈电路，有效地延长用于静电释放（ESD）电流释放的大尺寸晶体管（BigFET）的导通时间，确保静电释放（ESD）脉冲完全释放，来抑制静电释放（ESD）保护电路的误触发，减小功率钳位电路占用面积和漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 静电 释放 保护 反馈 电源 | ||
【主权项】：
一种用于片上静电释放保护的双反馈的电源钳位，包括在VDD和GND之间采用RC触发的晶体管反馈电路，其特征在于，所述反馈电路包括一P型级联晶体管和一N型级联晶体管，还包括有一电阻，所述电阻用于降低电路正常工作时的大尺寸晶体管电压；所述反馈电路还具有Filter电位点、INV1OUT电位点、INV2OUT电位点和栅极电位点，所述RC触发的时间常数控制所述Filter电位点、所述INV1OUT电位点和所述INV2OUT电位点的高低电位。
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