[发明专利]纳米晶/量子点敏化硅基电池片及其制备方法无效
| 申请号： | 201210204024.X | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102723388A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 余锡宾;贺建强 | 申请（专利权）人： | 上海洪立新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海欣创专利商标事务所 31217 | 代理人： | 刘斌 |
| 地址： | 200042 上海市普陀区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了纳米晶/量子点敏化硅基电池片及其制备方法。一种纳米晶/量子点敏化硅基电池片，其特征在于：硅基电池片表面致密，均匀地分布有纳米晶/量子点，纳米晶/量子点与硅基电池片结合牢固；所述纳米晶/量子点为可作半导体材料的过渡金属硫族化合物的纳米颗粒。其制备方法包括预合成法制备纳米晶/量子点、硅基电池片经预处理、用预合成法的制备纳米晶/量子点沉积生长在硅基电池片上三个步骤。本发明的纳米晶/量子点敏化的硅基电池片可以提高硅基电池片的太阳光光谱吸收效率，降低反射损失，大幅增加光电流密度和光电转化效率。本发明工艺简便，成本低，生产周期短，适用于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 量子 点敏化硅基 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米晶/量子点敏化硅基电池片，其特征在于：硅基电池片表面致密，均匀地分布有纳米晶/量子点，纳米晶/量子点与硅基电池片结合牢固；所述纳米晶/量子点为可作半导体材料的过渡金属硫族化合物的纳米颗粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
