[发明专利]一种纳米晶/量子点敏化硅基电池片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种纳米晶/量子点敏化硅基片太阳能电池及其制备方法，通过喷涂、旋涂、印刷等方法在硅基电池片上涂覆纳米晶/量子点。本发明提供的纳米晶/量子点敏化硅基片太阳能电池具有太阳光的吸收率和光电转化效率高、反射率低的优点，与原硅基电池片相比，开路电压增大5%~15%，光电流密度及光电转换效率增加10~60%左右；另外本发明中纳米晶/量子点作为钝化及减反射层可以代替SiN而降低成本，同时具有工艺简便，反应时间短的优点，容易大规模化生产和应用。

主权项

一种纳米晶/量子点敏化硅基太阳能电池片，其特征在于，由硅基电池片和纳米晶/量子点涂覆层，所述纳米晶/量子点涂覆层致密均匀地生长在所述硅基电池表面，厚度在50~200nm之间。