[发明专利]一种轻合金表面超疏水薄膜的制备方法无效
申请号: | 201210181986.8 | 申请日: | 2012-06-05 |
公开(公告)号: | CN102671847A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 欧军飞;王法军;薛名山;李文 | 申请(专利权)人: | 南昌航空大学 |
主分类号: | B05D5/08 | 分类号: | B05D5/08;B05D3/00 |
代理公司: | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人: | 刘凌峰 |
地址: | 330000 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明公开一种轻合金表面超疏水薄膜的制备方法,所涉及的轻合金为铝合金、钛合金、镁合金。该方法是,用金相砂纸打磨轻合金表面,经丙酮、超纯水超声清洗后,在90~120℃下,用水或双氧水稀溶液处理6~12h;然后通过化学吸附过程,将低表面能分子组装到其表面,以获得超疏水性质。采用本发明方法处理后的轻合金具有优良的超疏水性,水与表面的接触角大于150°,滚动角在5~10°范围内。本发明获得的超疏水薄膜与基底结合牢固,制备过程无需复杂昂贵的设备,成本低廉,工艺简单。 | ||
搜索关键词: | 一种 合金 表面 疏水 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种石墨烯基自组装多层纳米润滑薄膜的制备方法,其特征在于主要包括以下步骤:(1)选取氨基硅烷偶联剂,溶解于体积比为丙酮:水=95:5的混合溶剂,配制氨基硅烷偶联剂稀溶液;(2)将单晶硅基片浸于体积比为H2SO4:H2O2=7:3的溶液中,于90℃下处理0.5~1小时,用超纯水超声清洗后用氮气吹干,然后将其浸入上述配制的氨基硅烷偶联剂稀溶液中,静置0.5~1小时取出,在超纯水中超声清洗后用氮气吹干,得到表面组装有氨基硅烷偶联剂薄膜的单晶硅基片;(3)将氧化石墨烯溶解于超纯水中,超声分散,配制氧化石墨烯稀溶液;(4)将表面组装有氨基硅烷偶联剂薄膜的单晶硅基片浸入上述配制的氧化石墨烯稀溶液,于80℃下静置6~12小时后取出,在超纯水中超声清洗后用氮气吹干,得到表面组装有氧化石墨烯纳米片的单晶硅基片;(5)选取低表面能硅烷分子,溶解于甲苯中,配制低表面能硅烷分子稀溶液;(6)将表面组装有氧化石墨烯的单晶硅基片浸入上述配制的低表面能硅烷分子稀溶液,室温下静置2~12小时,取出后在80℃环境气氛中处理1~2小时,待自然冷却到室温时,取出样品,依次在甲苯、丙酮、超纯水中超声清洗2~5分钟,氮气吹干,即得氧化石墨烯基多层润滑薄膜。
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