[发明专利]光电转换装置有效
| 申请号： | 201210181071.7 | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102820364A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 佐藤隆信;北泽田鹤子 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0725 | 分类号： | H01L31/0725 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 日本国大阪府大阪市阿倍野*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种光电转换装置，包括：光电转换层；由电介质物质构成的多个结构；以及用于透射光的介质层，夹在光电转换层和所述结构之间、或者夹在所述结构之间、或者夹在光电转换层和所述结构之间以及所述结构之间，其中所述多个结构和介质层满足ndie＞nmed以及Dave×nmed/λmax＜0.3，其中λmax是光电转换层对光能量的灵敏度最大的最大灵敏度波长，nmed是介质层在波长λmax下的折射率，ndie是所述结构在波长λmax下的折射率，以及Dave是光电转换层的光暴露表面和所述结构之间的最短距离的平均。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 | ||
【主权项】：
一种光电转换装置，包括：光电转换层；由电介质物质构成的多个结构；以及用于透射光的介质层，夹在光电转换层和所述结构之间、或者夹在所述结构之间、或者夹在光电转换层和所述结构之间以及所述结构之间，其中所述多个结构和所述介质层满足ndie＞nmed以及Dave×nmed/λmax＜0.3，其中λmax是光电转换层对光能量的灵敏度最大的最大灵敏度波长，nmed现在是介质层在波长λmax的折射率，ndie是所述结构在波长λmax的折射率，以及Dave是光电转换层的光暴露表面和所述结构之间的最短距离的平均。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
