[发明专利]一种基于钝化膜中嵌入电荷的晶体硅太阳电池

摘要

一种基于钝化膜中嵌入电荷的晶体硅太阳电池，它涉及半导体器件技术领域，它在传统的晶硅电池结构中对钝化层中增加光学浮栅并进行电荷注入。它可在发射区重掺杂，具有较大的开路电压VOC；减小了发射区“死层”中的复合，增加了光生载流子的寿命，增强了发射极的载流子收集能力；增加了硅PN结的耗尽区宽度，从而增加了光生载流子的产生的区域，使得光生电流变大，即具有较大的短路电流ISC，且和传统的晶硅太阳电池工艺有很好的兼容性。

主权项

一种基于钝化膜中嵌入电荷的晶体硅太阳电池，其特征在于它在传统的晶硅电池结构中对钝化层中增加光学浮栅并进行电荷注入。