[发明专利]一种用于输出单原子氢离子束的场发射离子源无效
| 申请号： | 201210161962.6 | 申请日： | 2012-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN102709139A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 邹宇;展长勇;伍建春 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01J27/02 | 分类号： | H01J27/02;H01J27/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610064 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种用于输出单原子氢离子束的场发射离子源，属于小型特种离子源技术领域。主要包括：场发射阵列、泡沫金属活性薄板和加速极。泡沫金属活性薄板通过绝缘材料隔离后，放置于场发射阵列之上，其表面与场发射阵列表面平行，加速极置于泡沫金属活性薄板之上。工作时，场发射阵列的工作电压小于1kV，使尖端表面电场处于15~20V/nm即可。泡沫金属活性薄板相对于场发射阵列的上表面外接-700V左右的低压电源，加速极相对于泡沫金属活性薄板外接-10kV以上的高压脉冲电源。采用本发明后可以从加速极输出高比例氢（包括其同位素氘或氚）原子离子束，并且降低场发射阵列工作电压使其不至于烧毁。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 输出 原子 氢离子 发射 离子源 | ||
【主权项】：
一种用于输出单原子氢离子束的场发射离子源，包括场发射阵列（1），其特征在于，还包括一泡沫金属活性薄板（3）和加速极（4），所述泡沫金属活性薄板（3）通过一绝缘材料（2）隔离后，放置于场发射阵列（1）之上，其表面与场发射阵列表面平行，所述加速极（4）置于泡沫金属活性薄板之上。
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