[发明专利]一种用于NFC发射装置的电荷泵输出保护驱动装置有效

专利信息
申请号: 201210161194.4 申请日: 2012-05-23
公开(公告)号: CN102684180A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 张瑞安 申请(专利权)人: 乐鑫信息科技(上海)有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人: 徐雯琼
地址: 201203 上海市浦东新区张江*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种用于NFC发射装置的电荷泵输出保护驱动装置,在原有第一PMOS管和第一NMOS管的基础上,增加了作为保护管的第二PMOS管和第二NMOS管对输出电压进行保护;还设置了至少一个电平位移模块将输入为0V~3.3V的电压转换为-3.3V~0V的电压,并输出到第一NMOS管的栅极进行驱动。本发明以两个常压普通管作为保护管,不需要设置高压管即能够实现对电荷泵输出的过电压保护,电路结构简单可靠,可以满足电荷泵向NFC发射装置输出-3.3V~3.3V电源时的需要。
搜索关键词: 一种 用于 nfc 发射 装置 电荷 输出 保护 驱动
【主权项】:
一种用于NFC发射装置的电荷泵输出保护驱动装置,其特征在于,所述输出保护驱动装置设置于电荷泵的输出端,所述电荷泵用以对NFC发射装置提供负电压;所述输出保护驱动装置中包含电路连接的第一PMOS管(M2),第一NMOS管(M1),第二PMOS管(B1),第二NMOS管(B2),及至少一个电平位移模块(1);其中,所述输出保护装置的输入端,通过所述电平位移模块(1)连接至所述第一NMOS管(M1)的栅极;并且,所述第一PMOS管(M2)的源极接正电源,该第一PMOS管(M2)的漏极还与第二PMOS管(B1)的源极相连;所述第二NMOS管(B2)的源极与第一NMOS管(M1)的漏极相连,所述第一NMOS管(M1)的源极接负电源;所述第二PMOS管(B1)的漏极还与所述第二NMOS管(B2)的漏极相连,作为所述输出保护装置的输出端。
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