[发明专利]电源掉电反冲保护电路有效

专利信息
申请号: 201210157272.3 申请日: 2012-05-18
公开(公告)号: CN102684167A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 王春来;诸葛坚 申请(专利权)人: 杭州科岛微电子有限公司
主分类号: H02H7/20 分类号: H02H7/20
代理公司: 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 代理人: 梁寅春
地址: 310021 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 掉电后能保护电源器件的电源掉电反冲保护电路,包括一最大电压选择电路和一电源掉电关断电路;电压选择电路由电压比较器COMP1、反相器INV1、第一PMOS场效应管M1和第二PMOS场效应管M2组成;比较器COMP1的正输入端接电源Vin,负输入端接被保护器件的输出端Vout,输出端接反相器INV1的输入端,反相器INV1的输出端接第二PMOS场效应管M2的栅极;电源掉电关断电路由电流源I0、第三PMOS场效应管M3和第四PMOS场效应管M4组成,电流源I0的负极接地,正极接第三PMOS场效应管M3的漏极,第四PMOS场效应管M4的源极和衬底短接后接电源Vin,漏极接被保护器件功率管M0的栅极。本发明适用于电源管理产品。
搜索关键词: 电源 掉电 反冲 保护 电路
【主权项】:
一种电源掉电反冲保护电路,其特征是包括一最大电压选择电路和一电源关断电路,所述最大电压选择电路用以提供一个Buck电压去控制被保护器件的衬底电位,所述电源关断电路用以在电源掉电时关断被保护器件;所述最大电压选择电路由电压比较器COMP1、反相器INV1、第一PMOS场效应管M1和第二PMOS场效应管M2组成;电压比较器COMP1的正输入端接电源Vin,电压比较器COMP1的负输入端接被保护器件的输出端Vout,电压比较器COMP1的输出端接反相器INV1的输入端,反相器INV1的输出端接第二PMOS场效应管M2的栅极,第一PMOS场效应管M1的栅极与所述电压比较器COMP1输出端和反相器INV1输入端的接端连接,第一PMOS场效应管M1的源极和衬底短接后接被保护器件的衬底电位Buck,第一PMOS场效应管M1的漏极接被保护器件的输出端Vout,第二PMOS场效应管M2的源极和衬底短接后接被保护器件的衬底电位Bcuk,第二PMOS场效应管M2的漏极接电源Vin;所述电源关断电路由电流源I0、第三PMOS场效应管M3和第四PMOS场效应管M4组成;电流源I0的负极接地,电流源I0的正极接第三PMOS场效应管M3的漏极,第三PMOS场效应管M3的源极接被保护器件的输出端Vout,第三PMOS场效应管M3的栅极接电源Vin, 第三PMOS场效应管M3的衬底与被保护器件的衬底和最大电压选择电路输出端Buck的接端相连,第四PMOS场效应管M4的源极和衬底短接后接电源Vin,第四PMOS场效应管M4的栅极与所述第三PMOS场效应管M3的漏极和电流源I0正极的接端相连,第四PMOS场效应管M4的漏极接被保护器件功率管M0的栅极。
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