[发明专利]一种微米级被动式动态位移传感器无效
| 申请号： | 201210146940.2 | 申请日： | 2012-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102679857A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 贾艳敏;项智慧;马柯;武峥 | 申请（专利权）人： | 浙江师范大学 |
| 主分类号： | G01B7/02 | 分类号： | G01B7/02 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人： | 朱枫 |
| 地址： | 321004 浙江省金华*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种微米级被动式动态位移传感器，它包括复合磁电层、永磁铁、铁轭，铁轭分为左右两部分，复合磁电层和永磁铁呈上下关系,置于铁轭左右部之间；永磁铁和铁轭构成磁回路，复合磁电层带有电压输出装置。该传感器具有成本低，精度高，工艺简单，精度可以达到微米级，在工业自动化、军事、医疗、生物等领域具有很广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微米 被动式 动态 位移 传感器 | ||
【主权项】：
一种微米级被动式动态位移传感器，其特征在于：它包括复合磁电层、永磁铁、铁轭，铁轭分为左右两部分，复合磁电层和永磁铁呈上下关系,置于铁轭左右部之间；永磁铁和铁轭构成磁回路，复合磁电层带有电压输出装置。
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