[发明专利]一种纳米复合介电薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201210112271.7 | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN102632675A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 杨亚杰;蒋亚东;徐建华;杨文耀 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | B32B37/02 | 分类号： | B32B37/02;B32B27/08;B32B27/18;B32B27/28;B32B27/30;C08J5/18;H01G4/18 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;杨保刚 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米复合介电薄膜的制备方法，首先通过Langmuir-Blodgett(LB)膜法获得聚合物介电薄膜，然后采用LB膜法在聚合物介电薄膜上制备高介电无机/有机复合纳米粒子薄膜，最后在复合纳米粒子薄膜上通过LB膜方法制备聚合物介电薄膜，从而形成一种纳米粒子分散于聚合物的高介电复合薄膜材料。该方法所制备的聚合物-纳米粒子复合介电薄膜材料克服了现有技术中所存在的缺陷，并且制备方法合理简单，易于操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 复合 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米复合介电薄膜的制备方法，其特征在于，首先通过Langmuir‑Blodgett膜方法制备聚合物介电纳米薄膜，然后通过LB膜法在聚合物介电纳米薄膜上制备无机纳米粒子与导电聚合物纳米粒子复合纳米粒子薄膜，最后通过LB膜法在复合纳米粒子薄膜上制备聚合物介电纳米薄膜，从而获得聚合物‑纳米粒子‑聚合物的纳米复合介电薄膜结构。
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