[发明专利]一种高性能铸态钕铁硼磁体的制备方法有效
| 申请号： | 201210111095.5 | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN102623166A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 崔熙贵;崔承云;程晓农;许晓静 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F7/02;H01F1/057;C21D1/04;C21D1/773 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及永磁材料制备技术领域，特指一种高性能铸态钕铁硼磁体的制备方法。本发明通过铸造、大应变塑性变形技术与双重取向技术相结合的复合工艺，有效细化晶粒尺度，控制晶界结构与晶粒取向，从而制备晶粒细小、晶界相均匀分布、晶粒取向完整的高性能钕铁硼磁体，获得高矫顽力与高磁能积的良好匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 铸态钕铁硼 磁体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高性能铸态钕铁硼磁体的制备方法，包括铸造的步骤、真空高温回火的步骤、细化铸锭组织的步骤、对细化组织后的铸锭进行热变形调控磁织构的步骤和对取向后的铸锭进行真空低温回火改善晶界结构的步骤，其特征在于：在对细化组织后的铸锭进行热变形处理后，增加对热变形后的铸锭进行真空强磁场热处理的步骤，进一步强化磁织构，制得取向完整的铸态磁体，所述的强磁场热处理工艺参数为：磁场强度为2‑20T，热处理温度为500‑900℃，热处理时间为1‑4h。
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