[发明专利]光电二极管

摘要

本发明提供了光电二极管。根据示例实施例的光电二极管包括阳极、阴极以及在阳极与阴极之间的本征层。本征层包括P型半导体和N型半导体，在本征层内，P型半导体的重量组成比和N型半导体的重量组成比根据本征层到阳极和阴极之一的距离而改变。

主权项

1.一种光电二极管，包括：阳极；阴极；和在所述阳极与所述阴极之间的本征层，所述本征层包括P型半导体和N型半导体，其中在所述本征层内，所述P型半导体的重量组成比和所述N型半导体的重量组成比根据位置而改变，其中所述本征层包括依次沉积的至少两个子层，所述至少两个子层具有不同的重量组成比，其中所述至少两个子层包括：最靠近所述阳极的第一子层，所述第一子层的P型半导体的重量组成比大于N型半导体的重量组成比，最靠近所述阴极的第二子层，所述第二子层的N型半导体的重量组成比大于P型半导体的重量组成比，和在所述第一子层与所述第二子层之间的第三子层，其中所述P型半导体相对于所述N型半导体的相对重量组成比在所述第一子层中为约10，在所述第二子层中为约1/10，在所述第三子层中为约5，并且其中所述第三子层位于所述本征层的中间并与所述第一子层和所述第二子层接触，其中所述本征层的所述P型半导体包括N,N’‑二甲基喹吖啶酮，并且所述本征层的所述N型半导体包括C60、C70和[6,6]‑苯基‑C61‑丁酸甲酯中的至少之一。