[发明专利]一种基于氧化铋薄膜的电阻式随机读取存储器及制备方法无效
| 申请号： | 201210096994.2 | 申请日： | 2012-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN102623636A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 李红霞;季振国;席俊华 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 杜军 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于氧化铋薄膜的电阻式随机读取存储器及制备方法。现有的电阻式存储器的读写寿命以及稳定性较差。本发明存储器由重掺硅衬底、氧化铋薄膜、金属薄膜电极构成，氧化铋薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间，重掺硅衬底作为电阻式随机读取存储器的下电极，金属薄膜电极作为电阻式随机读取存储器的上电极。本发明方法是采用半导体标准清洗工艺清洗重掺硅衬底；然后采用磁控溅射法在重掺硅衬底上沉积氧化铋薄膜；最后在氧化铋薄膜上采用电子束蒸发法制备金属薄膜电极。本发明可简化存储器的制作工艺，并能很好地与硅集成电路工艺相兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 薄膜 电阻 随机 读取 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于氧化铋薄膜的电阻式随机读取存储器，其特征在于：该存储器由重掺硅衬底、氧化铋薄膜、金属薄膜电极构成，氧化铋薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间，重掺硅衬底作为电阻式随机读取存储器的下电极，金属薄膜电极作为电阻式随机读取存储器的上电极。
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