[发明专利]一种基片加热装置有效
| 申请号： | 201210084682.X | 申请日： | 2012-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN102605349A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 刁宏伟;王文静;赵雷;周春兰;李海玲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | C23C16/46 | 分类号： | C23C16/46;C23C14/22 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基片加热装置，包括箱体和基片载板加热架。所述的基片载板加热架安装在所述的箱体内。所述的基片载板加热架上有多个插槽。基片载板加热架安装在两条相对平行的导轨上，在水平方向上往复运动。需要加热的基片通过固定螺钉及基片载板插槽固定在基片载板上，再将基片载板插入基片载板加热架插槽中进行加热。本发明采用电加热方式加热，适用于对批次基片进行同时加热。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 加热 装置 | ||
【主权项】：
一种基片加热装置，包括箱体(5)和基片载板加热架，其特征在于，所述的基片载板加热架安装在所述的箱体内，所述的基片载板加热架上有多个插槽；基片载板加热架安装在两条相对平行的导轨上，在水平方向上往复运动；待加热的基片通过固定螺钉及基片载板插槽固定在基片载板上，基片载板插入基片载板加热架插槽中加热。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
