[发明专利]微波溶剂热合成Cu2ZnSnS4半导体材料的方法无效
| 申请号： | 201210062461.2 | 申请日： | 2012-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102557117A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 龙飞;曾彦;邹正光;王东生 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学;广西地凯光伏能源有限公司 |
| 主分类号： | C01G19/00 | 分类号： | C01G19/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广西壮族*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微波溶剂热合成Cu2ZnSnS4(CZTS)半导体材料的方法。将铜盐、锌盐、锡盐和硫源等按预定摩尔比加入烧杯内，加入溶剂，混合均匀后倒入反应釜，密闭后放入微波场中加热，待温度上升至额定温度后保温额定时间，所得产物经过离心、洗涤、真空干燥后得Cu2ZnSnS4半导体材料。所述溶剂为水、乙二醇、乙二胺和联胺中的一种或多种；所述硫源为硫脲或硫粉。本发明利用微波辅助溶剂热合成工艺制备的Cu2ZnSnS4半导体材料纯度高，同时具有合成速度快、反应装置更简单、成本低、工艺控制容易等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 微波 溶剂 合成 cu sub znsns 半导体材料 方法 | ||
【主权项】：
一种微波溶剂热合成Cu2ZnSnS4半导体材料的方法，其特征在于具体步骤为：将铜盐、锌盐、锡盐和硫源按摩尔配比(1～3)∶(0.5～1.5)∶(0.5～1.5)∶(4～6)混合，加入溶剂，溶剂用量为使上述原料完全溶解且溶剂体积不超过反应釜容积的2/3，混合均匀后倒入反应釜，密闭后放入微波场中加热，待温度上升至100～250℃后保温0.5～12小时，所得产物经过蒸馏水和无水乙醇离心洗涤2～3次，然后在70～90℃下的真空干燥箱内干燥7～9小时得Cu2ZnSnS4半导体材料；所述溶剂为水、乙二醇、乙二胺和联胺中的一种或多种；所述铜盐为乙酸铜、氯化铜和硝酸铜中的一种或多种；所述锌盐为乙酸锌、氯化锌和硝酸锌中的一种或多种；所述锡盐为四氯化锡或二氯化锡；所述硫源为硫脲或硫粉。
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