[发明专利]一种基于场发射原理的碳纳米管薄膜氢传感器和氢气检测方法有效
| 申请号： | 201210057894.9 | 申请日： | 2012-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN102590281A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 董长昆 | 申请（专利权）人： | 温州大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;B81B1/00 |
| 代理公司： | 温州瓯越专利代理有限公司 33211 | 代理人： | 王阿宝 |
| 地址： | 325035 浙江省温州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于场发射原理的碳纳米管薄膜氢传感器和氢气检测方法，包括有相互绝缘间隔的电子发射阴极和阳极，所述的电子发射阴极包括有导电基底以及生长或沉积于导电基底上碳纳米管薄膜，另外，本发明利用场发射电流的I-V和I-t曲线检测氢气。本发明具有灵敏度高、微型、功耗低、结构简洁、恢复快等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 发射 原理 纳米 薄膜 传感器 氢气 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种基于场发射原理的碳纳米管薄膜氢传感器，包括有相互绝缘间隔的电子发射阴极和阳极，其特征在于：所述的电子发射阴极包括有导电基底以及生长或沉积于导电基底上碳纳米管薄膜。
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