[发明专利]一种生长大晶粒铸造多晶硅的方法有效
| 申请号： | 201210047956.8 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102534772A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;游达;胡亚兰;杨晓琴;武鹏 | 申请（专利权）人： | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种生长大晶粒铸造多晶硅的方法，包括如下步骤：步骤一、将多个单晶硅块作为籽晶，平铺在坩埚底部；所述多个籽晶的晶向相同；步骤二、将多晶硅料和掺杂剂置于坩埚中；步骤三、加热，控制温度使所述多晶硅料和所述掺杂剂完全融化，同时籽晶不完全熔化；及步骤四、降低与籽晶接触的熔融硅液的温度，使所述硅液沿不完全熔化的籽晶定向凝固生长，得到与所述籽晶的晶向相同的大晶粒铸造多晶硅。在大晶粒铸造多晶硅的生长过程中，通过定向引入晶界，可使位错在晶界处聚积，抑制了位错的不断增殖，降低了位错密度，提高了多晶硅太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 晶粒 铸造 多晶 方法 | ||
【主权项】：
一种生长大晶粒铸造多晶硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、将多个单晶硅块作为籽晶，平铺在坩埚底部；所述多个籽晶的晶向相同；步骤二、将多晶硅料和掺杂剂置于坩埚中；步骤三、加热，控制温度使所述多晶硅料和所述掺杂剂完全融化，同时籽晶不完全熔化；及步骤四、降低与籽晶接触的熔融硅液的温度，使所述硅液沿不完全熔化的籽晶定向凝固生长，得到与所述籽晶的晶向相同的大晶粒铸造多晶硅。
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