[发明专利]一种羟基官能化聚酯/蒙脱土纳米复合材料的制备方法无效
| 申请号： | 201210044664.9 | 申请日： | 2012-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102585183A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 张青山;李云政;徐玲 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | C08G63/42 | 分类号： | C08G63/42;C08G63/87;C08K9/04;C08K3/34 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 杨志兵;张利萍 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种羟基官能化聚酯/蒙脱土纳米复合材料的制备方法，属于高分子材料技术领域。所述方法首先采用阳离子交换法，在60～100℃下把鎓类催化剂插层在钠基蒙脱土层间得到有机改性蒙脱土；然后将有机改性蒙脱土、二元羧酸、二环氧物和一元羧酸混合进行原位聚合，聚合过程中单体二环氧物与二元羧酸熔融对有机改性蒙脱土插层；所述单体在鎓类催化剂作用下在蒙脱土层间和外部进行聚合，使得蒙脱土片层被撑开，最后均匀分散在具有羟基官能团的聚酯基体中，从而制得插层型或剥离型羟基官能化聚酯/蒙脱土纳米复合材料。所述方法简单、成本低且可应用于批量工业化生产，所述材料可广泛应用于生物可降解材料领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 羟基 官能 聚酯 蒙脱土 纳米 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种羟基官能化聚酯/蒙脱土纳米复合材料的制备方法，其特征在于：所述方法步骤如下：(1)采用阳离子交换法，温度控制在60～100℃，把鎓类催化剂插层在钠基蒙脱土层间得到有机改性蒙脱土；(2)将步骤(1)得到的有机改性蒙脱土、二元羧酸、二环氧物和一元羧酸混合进行原位聚合，得到一种羟基官能化聚酯/蒙脱土纳米复合材料。
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