[发明专利]甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法无效

申请号：	201210036863.5	申请日：	2012-02-17
公开（公告）号：	CN102544229A	公开（公告）日：	2012-07-04
发明（设计）人：	卫炀;马文全;张艳华;曹玉莲	申请（专利权）人：	中国科学院半导体研究所
主分类号：	H01L31/18	分类号：	H01L31/18
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司 11021	代理人：	宋焰琴
地址：	100083 ***	国省代码：	北京;11
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摘要：	本发明公开了一种制备甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的方法，该方法是在半绝缘GaSb衬底上依次生长P型掺杂的GaSb缓冲层、P型掺杂的中波InAs/GaSb二类超晶格层、非掺杂的甚长波InAs/GaSb二类超晶格层、N型掺杂的中波InAs/GaSb二类超晶格层以及N型掺杂的InAs上接触层，得到甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料。利用本发明，由于在界面设计中增加了精心设计的“Sb-soak”和“生长中断”，所以超晶格材料质量进一步得到提高。
搜索关键词：	长波 inas gasb 二类超晶格红外探测器材料制备方法
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【主权项】：

一种制备甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的方法，其特征在于，该方法是在半绝缘GaSb衬底上依次生长P型掺杂的GaSb缓冲层、P型掺杂的中波InAs/GaSb二类超晶格层、非掺杂的甚长波InAs/GaSb二类超晶格层、N型掺杂的中波InAs/GaSb二类超晶格层以及N型掺杂的InAs上接触层，得到甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料。

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