[发明专利]基于焊接型IGBT与压接型二极管反并联串联结构的换流单元无效
| 申请号： | 201210001831.1 | 申请日： | 2012-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN103151938A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 温家良;吴锐;韩健;陈中圆;蔚泉清;贾娜 | 申请（专利权）人： | 中国电力科学研究院 |
| 主分类号： | H02M7/00 | 分类号： | H02M7/00;H01L25/03 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100192 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种换流单元，包括IGBT模块和电容，所述IGBT模块包括基于焊接型IGBT与压接型二极管反并联串联结构模块；所述基于焊接型IGBT与压接型二极管反并联串联结构模块包括串联的焊接型IGBT串联及其相应的压接型二极管，一个IGBT的发射极与下一个IGBT的集电极通过低感导线相连接，压接型二极管反并联于其相应的焊接型IGBT的集电极和发射极之间；所述IGBT模块与所述电容并联。本发明提供的一种换流单元，包括基于焊接型IGBT与压接型二极管反并联串联结构模块，在包含多个串联的换流单元的换流器中，故障的换流单元可以转化为短路失效模式，保证整个IGBT阀的安全工作。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 焊接 igbt 压接型 二极管 并联 串联 结构 换流 单元 | ||
【主权项】：
一种换流单元，包括：IGBT模块和电容，其特征在于：所述IGBT模块包括基于焊接型IGBT与压接型二极管反并联串联结构模块；所述基于焊接型IGBT与压接型二极管反并联串联结构模块包括串联的焊接型IGBT串联及其相应的压接型二极管，一个IGBT的发射极与下一个IGBT的集电极通过低感导线相连接，压接型二极管反并联于其相应的焊接型IGBT的集电极和发射极之间；所述IGBT模块与所述电容并联。
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