[实用新型]14MeV中子热化装置有效
| 申请号： | 201120226769.7 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN202126852U | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 程道文;李鑫;韩冬;向鹏;韦韧;董小刚;孙正昊;兰民 | 申请（专利权）人： | 长春工业大学 |
| 主分类号： | G21K1/00 | 分类号： | G21K1/00;G21K1/06;G21K1/02;G21G4/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130012 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种热化效率较高的“14MeV中子热化装置”。用快中子反射层反射D-T中子发生器发射的、远离热中子准直通道出口的14MeV中子，使热化效率提高185.10％。先用快中子慢化层和中子慢化层依次慢化14MeV中子，使热化效率提高36.81％。用聚乙烯作为中子慢化、热化材料，价格远低于重水，热化效率比水高1.01％。用中子反射层反射远离热中子准直通道出口的中子，使热化效率提高537.97％。用热中子聚集层使热中子在准直通道内聚集、准直，使热化效率提高80.28％。此装置可以作为热中子源，用于硼中子俘获治疗、热中子照相等。 | ||
| 搜索关键词： | 14 mev 中子 热化 装置 | ||
【主权项】：
一种14MeV中子热化装置，由D‑T中子发生器(1)，快中子反射层(2)，快中子慢化层(3)，热中子准直通道(4)，热中子聚集层(5)，中子慢化层(6)以及中子反射层(7)构成，其特征是：用快中子反射层(2)反射D‑T中子发生器(1)发射的、远离热中子准直通道(4)出口的14MeV中子，用快中子慢化层(3)和中子慢化层(6)依次慢化14MeV中子，用中子反射层(7)反射远离热中子准直通道(4)出口的中子，用热中子聚集层(5)使热中子在中子准直通道(4)内聚集、准直，提高出口处的热中子通量。
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