[实用新型]双光阻墙光罩有效
| 申请号： | 201120003504.0 | 申请日： | 2011-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN201955617U | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 施林波;王晔晔 | 申请（专利权）人： | 昆山西钛微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;B81C1/00 |
| 代理公司： | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人： | 盛建德 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种双光阻墙光罩，其上对称的设有若干个双光阻墙光罩单元，所述每个双光阻墙光罩单元包括光罩单元内光阻墙、光罩单元外光阻墙和光罩单元切割道，所述光罩单元外光阻墙设于所述光罩单元内光阻墙外围，所述光罩单元切割道设于所述光罩单元内光阻墙和所述光罩单元外光阻墙之间。利用该双光阻墙光罩制备的双光阻墙可有效增加与晶圆的胶合面积，并可减少溢胶及胶不均匀导致的气泡无胶风险。 | ||
| 搜索关键词： | 双光阻墙光罩 | ||
【主权项】：
一种双光阻墙光罩，其特征在于：所述双光阻墙光罩上对称的设有若干个双光阻墙光罩单元(1)，所述每个双光阻墙光罩单元包括光罩单元内光阻墙(11)、光罩单元外光阻墙(13)和光罩单元切割道(12)，所述光罩单元外光阻墙设于所述光罩单元内光阻墙外围，所述光罩单元切割道设于所述光罩单元内光阻墙和所述光罩单元外光阻墙之间。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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