[发明专利]采用腐蚀自停止方式制造流量传感器的方法无效
| 申请号： | 201110458517.1 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102491260A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 薛维佳;张艳红;张挺 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G01F1/68 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种采用腐蚀自停止方式制造流量传感器的方法，包括步骤：提供硅衬底，采用离子注入法在其中形成腐蚀停止层；在硅衬底上淀积电热层；对电热层作图形化，在硅衬底上形成加热装置、测温装置和电极；在硅衬底上淀积保护层，保护层覆盖加热装置和测温装置；通过半导体光刻技术，在流量传感器正对面的反面对硅衬底进行湿法腐蚀，在硅衬底中形成背面空腔。如此可以高效率、低成本地获得加热装置和测温装置所处特定区域下方厚度可控的硅基底窗口。本发明采用自停止的腐蚀方法，制造出的流量传感器具有良好的片中器件的均匀性、片间器件的可重复性，很好地解决了现有技术中存在的问题，适合大批量的生产，且制造出的流量传感器的品质更高。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 腐蚀 停止 方式 制造 流量传感器 方法 | ||
【主权项】：
一种采用腐蚀自停止方式制造流量传感器的方法，包括步骤：提供硅衬底，采用离子注入法在所述硅衬底中形成腐蚀停止层；在所述硅衬底上淀积电热层；对所述电热层作图形化，在所述硅衬底上形成加热装置、测温装置和电极；在所述硅衬底上淀积保护层，所述保护层覆盖所述加热装置和所述测温装置；通过半导体光刻技术，在所述流量传感器正对面的反面对所述硅衬底进行湿法腐蚀，在所述硅衬底中形成背面空腔。
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