[发明专利]一种制备背电场区域接触晶体硅太阳电池的方法

摘要

本发明公开了一种制备背电场区域接触晶体硅太阳电池的方法，该方法是现有制备工艺的基础上，对太阳电池背表面进行钝化，然后在太阳电池背表面钝化层上开线，形成背电场局部接触区域，丝网印刷或者真空蒸镀的方式制作背电场和电极。本发明背电场区域接触方式为适用于低成本高效率产业化生产接触方式，采用了线接触方式。本发明可以大幅降低背表面的复合速率，使得开路电压和短路电流得到提升，通过合适的背表面图形设计，可以满足背电场和晶体硅衬底的欧姆接触，同时又满足背场收集光生载流子的要求，获得和普通电池一致的串联电阻，填充因子满足要求，从而最终使得电池光电转换效率得到有效的提高。本发明方法适合于大规模工业化生产中应用。

主权项

一种制备背电场区域接触晶体硅太阳电池的方法，其步骤包括：对硅片磷扩散形成PN结、去除硅片边缘和背结、对硅片正面镀减反膜；其特征是：还包括以下步骤a、对硅片背表面镀钝化层；b、在硅片被表面钝化层上刻蚀，形成背电场局部接触窗口；c、丝网印刷硅片正面电极、背面电极、背面电场，烧结形成欧姆接触。