[发明专利]一种高压直流控制开关有效
申请号: | 201110446327.8 | 申请日: | 2011-12-28 |
公开(公告)号: | CN103186106A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 廖肇军;张建光 | 申请(专利权)人: | 深圳市金威源科技股份有限公司 |
主分类号: | G05B19/042 | 分类号: | G05B19/042 |
代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 金辉 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区新安街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明目的是提供一种高压直流控制开关,设置在高压直流电源的输出端;包括MOSFET电子开关功率电路和控制所述的MOSFET电子开关功率电路开闭的控制电路;所述的控制电路包括对所述的高压直流电源的输出电流进行采样的电流采样电路和产生控制所述的MOSFET电子开关功率电路开闭的控制信号的开关控制电路以及单片机。本发明由MOSFET电子开关电路和MCU智能控制电路组成,MOSFET电子开关电路可以并联组成多路开关组成的技术方案;且整套方案可实现多开关并行、开关动作无打火、各开关之间相互延时并且具有短路保护、短路故障排除后可自恢复等功能的一种智能型电子开关。 | ||
搜索关键词: | 一种 高压 直流 控制 开关 | ||
【主权项】:
一种高压直流控制开关,设置在高压直流电源的输出端;所述的高压直流电源输出端包括电源阳极(HV1)和电源阴极(GND);通过高压直流控制开关后输出为输出正极(OUT+)和输出负极(OUT‑);其特征在于:包括MOSFET电子开关功率电路和控制所述的MOSFET电子开关功率电路开闭的控制电路;所述的MOSFET电子开关功率电路设置电源阳极(HV1)和电源阴极(GND)与输出正极(OUT+)和输出负极(OUT‑)之间,控制电源阳极(HV1)与输出正极(OUT+)、电源阴极(GND)与输出负极(OUT‑)之间的连接与断开;所述的控制电路包括对所述的高压直流电源的输出电流进行采样的电流采样电路和产生控制所述的MOSFET电子开关功率电路开闭的控制信号的开关控制电路以及单片机;所述的电流采样电路设置在所述的高压直流电源的输出线上,其采样结果输入到所述的单片机;所述的单片机判断所述的采样结果大于设定值时控制所述的开关控制电路产生所述的MOSFET电子开关功率电路断开的信号。
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