[发明专利]聚偏氟乙烯膜或者聚氯乙烯膜表面改性方法无效
申请号: | 201110419682.6 | 申请日: | 2011-12-15 |
公开(公告)号: | CN102558595A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 陆茵;宋水均;韩玉;马均治 | 申请(专利权)人: | 宁波大学 |
主分类号: | C08J7/18 | 分类号: | C08J7/18;C08L27/16;C08L27/06 |
代理公司: | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人: | 程晓明 |
地址: | 315211 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种聚偏氟乙烯膜或者聚氯乙烯膜表面改性方法,特点是包括以下步骤:(1)将聚偏氟乙烯膜或者聚氯乙烯膜进行真空低温等离子体处理,处理功率为5~100W,时间为1~20min,反应真空度为2-100Pa;(2)选择甲醇与去离子水混合的溶液作为溶剂,氯化亚铜或溴化亚铜作为催化剂,2,2’-联吡啶或其衍生物作为配体,磺基甜菜碱甲基丙烯酸甲酯或烯丙基聚乙二醇作为接枝单体,催化剂与配体按摩尔比1:0.5~4,膜与单体按摩尔比100~0.1:1混合后,进行原子转移自由基聚合反应,控制反应温度为20~100℃,反应1~24h后,即得到产品,优点是种能提高膜亲水性和抗污染能力且环保、操作步骤简单。 | ||
搜索关键词: | 聚偏氟 乙烯 或者 聚氯乙烯 表面 改性 方法 | ||
【主权项】:
聚偏氟乙烯膜或者聚氯乙烯膜表面改性方法,其特征在于包括以下步骤:(1)真空低温等离子体处理将聚偏氟乙烯膜或者聚氯乙烯膜进行真空低温等离子体处理,其中低温等离子体为氩气或者氯气,处理功率为5~100W,处理时间为1~20min,反应真空度为2‑100Pa;(2)原子转移自由基聚合反应选择甲醇与去离子水按体积比10~1:1~10混合后的溶液作为溶剂加入反应容器中,氯化亚铜或溴化亚铜作为催化剂,2,2’‑联吡啶或其衍生物作为配体,两性离子磺基甜菜碱甲基丙烯酸甲酯或烯丙基聚乙二醇作为接枝单体,反应加入量为催化剂与配体按摩尔比1:0.5~4的比例加入反应容器中,聚偏氟乙烯膜或者聚氯乙烯膜与单体按摩尔比100~0.1:1比例加入反应容器中,再进行原子转移自由基聚合反应,在氮气气氛或者氩气气氛的条件下,控制反应温度为20~100℃,反应1~24h后,用去离子水反复清洗至膜表面没有溶剂残留,即得到表面改性的聚偏氟乙烯膜或者聚氯乙烯膜。
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