[发明专利]一种硅薄膜异质结太阳电池及其制作方法无效
| 申请号： | 201110390864.5 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102437225A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 沈辉;刘超;梁齐兵;艾斌 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L31/072 | 分类号： | H01L31/072;H01L31/20;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 罗毅萍 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于太阳电池技术领域，具体公开一种新型的硅薄膜异质结太阳电池及其制作方法。该硅薄膜异质结太阳电池包括具有导电薄膜的衬底，所述衬底的导电薄膜上设有第一晶体硅薄膜层，所述该第一晶体硅薄膜层上依次设有本征非晶体硅薄膜层、第二晶体硅薄膜层和透明导电薄膜层，所述透明导电薄膜层上设有金属电极。该硅薄膜异质结太阳电池具有较高的效率和较好的稳定性，同时薄膜厚度远远小于目前的晶体硅薄膜太阳电池，减少材料消耗，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 异质结 太阳电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅薄膜异质结太阳电池，其特征在于：包括具有导电薄膜的衬底，所述衬底的导电薄膜上设有第一晶体硅薄膜层，所述该第一晶体硅薄膜层上依次设有本征非晶体硅薄膜层、第二晶体硅薄膜层和透明导电薄膜层，所述透明导电薄膜层上设有金属电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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