[发明专利]一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法无效
| 申请号： | 201110384233.2 | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102494782A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 李辛毅;韩培德;毛雪;胡少旭;王帅;范玉杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01J5/12 | 分类号： | G01J5/12;H01L31/101;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法，该非制冷热电偶红外探测器由下至上依次包括：在硅衬底上热氧化得到的氧化硅薄层，沉积在氧化硅薄层上的高塞贝克系数金属层；具有热隔离作用的热绝缘层；高红外辐射吸收的黑硅材料层；以及其表面钝层；其中，高塞贝克系数金属层采用铝、金或钛，作为该非制冷热电偶红外探测器的冷端，热绝缘层包括具有热绝缘特性的氧化硅和氮化硅或将氧化硅作为牺牲层得到空腔，且氮化硅形成于氧化硅之上，高红外辐射吸收的黑硅材料层作为该非制冷热电偶红外探测器的热端，表面钝化层采用氮化硅层。本发明能够消除红外辐射对掩埋在热隔绝层下的冷端金属的影响，进一步提高探测器的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制冷 热电偶 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种非制冷热电偶红外探测器，其特征在于，该非制冷热电偶红外探测器由下至上依次包括：在硅衬底上热氧化形成的氧化硅薄层；沉积在氧化硅薄层上的高塞贝克系数金属层；具有热隔离作用的热绝缘层；高红外辐射吸收的黑硅材料层；以及表面钝化层；其中，高塞贝克系数金属层采用铝、金或钛，作为该非制冷热电偶红外探测器的冷端，热绝缘层包括具有热绝缘特性的氧化硅和氮化硅且氮化硅形成于氧化硅之上，或者热绝缘层是以氧化硅作为牺牲层得到的空腔，高红外辐射吸收的黑硅材料层作为该非制冷热电偶红外探测器的热端，表面钝化层采用氮化硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110384233.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
