[发明专利]一种高立方织构高钨含量Ni-W合金基带的制备方法

摘要

本发明公开了一种高立方织构高钨含量Ni-W合金基带的制备方法，属于高温超导涂层导体金属基带技术领域。本发明采用轧制间热处理的方法，通过改善冷轧基带形变织构，并增加冷轧基带中立方取向晶粒的含量，从而有效改善高钨含量NiW合金基带立方织构的含量，获得高立方织构含量的金属基带。本发明所制备的高钨含量NiW合金基带机械强度高，无(低)磁性，具有良好的表面质量和锐利的立方织构，可以满足进一步提高YBCO涂层导体性能的要求。

主权项

一种高立方织构高钨含量Ni‑W合金基带的制备方法，其特征在于，具体工艺步骤如下：(1)原料配比与初始坯锭的制备将Ni块和W块，按W原子百分比含量为7‑9.3％的配比在真空条件下于1500～1700℃熔炼5～15min成NiW合金固溶体，然后浇铸，热锻后即可获得NiW的合金初始铸锭；将初始铸锭进行热轧后得到初始坯锭；(2)初始坯锭的形变轧制形变轧制步骤如下：a)对初始坯锭进行变形量50～70％冷轧，然后在ArH2混合气体保护或真空条件下于400～700℃退火30～120min，其中H2体积占ArH2混合气体总体积的4％；b)对现有厚度进行变形量50～70％冷轧，然后在ArH2混合气体保护或真空条件下于400～700℃退火30～120min，其中H2体积占ArH2混合气体总体积的4％；c)重复步骤b)0～3次；d)冷轧得到总变形量不小于95％，厚度为60～120μm的冷轧基带，上述步骤中道次变形量为5～15％；(3)冷轧基带的再结晶热处理步骤(2)得到的冷轧基带在ArH2混合气体保护或真空条件下于600～800℃退火60min，其中H2体积占ArH2混合气体总体积的4％，然后再升温至1000～1200℃退火30～90min，得到涂层导体用高钨含量NiW合金基带。