[发明专利]具有形态相关磁性的Co纳米结构阵列材料的制备方法有效
| 申请号： | 201110369479.2 | 申请日： | 2011-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN102515086A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 李志刚;陈卫平;刘彦平;钟文武;邵先亦 | 申请（专利权）人： | 台州学院 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01F1/01;B82Y25/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 318000 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Co纳米结构阵列材料合成方法，所合成的Co纳米结构阵列包括衬底、Co纳米孔、Co空心球、Co多孔膜等纳米结构阵列，纳米结构阵列材料为钴磁性材料。样品的磁性具有很强的形态相关性，本发明可合成多种不同材料的纳米结构阵列，可广泛应用于磁存储、纳米器件加工及多功能纳米器件制备。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 形态 相关 磁性 co 纳米 结构 阵列 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Co纳米结构阵列材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步、对衬底进行清洗；所述衬底的清洗方法依次包括以下步骤：A、将衬底置于丙酮中超声清洗40分钟，然后用蒸馏水清洗多次；B、将衬底置于乙醇中超声清洗40分钟，然后用蒸馏水清洗多次；C、将衬底置于蒸馏水中超声清洗30分钟后，置于蒸馏水中待用。衬底在蒸馏水中待用的时间不大于7天；第二步、在衬底上合成Co纳米结构阵列；所述Co纳米结构阵列为纳米孔阵列或纳米空心球阵列或纳米网状结构阵列之一。
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