[发明专利]一种利用高频场对磁约束聚变装置第一壁进行清洗的方法有效
| 申请号： | 201110369135.1 | 申请日： | 2011-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102500589A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 龚先祖;吴金华;赵燕平;胡建生;李建刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | B08B9/08 | 分类号： | B08B9/08 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 成金玉 |
| 地址： | 230031 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种利用高频场对磁约束聚变装置第一壁进行清洗的方法。实现步骤为：(1)在磁约束聚变装置真空室中预先充入0.1-10Pa的气体；(2)在磁约束聚变装置真空室中布置高频天线，然后以磁约束聚变装置真空室为负极，伸入在磁约束聚变装置真空室中的高频天线为正级，在负极和正极之间施加电压为3-5KV、频率为20-50KHz、功率为2-10KW的高频场；(3)在高频场的电离下，气体被击穿并产生稳定的高频等离子体放电，将对磁约束聚变装置真空室第一壁进行有效的轰击，在经过1-10小时的放电清洗后，达到对第一壁的清洗。本发明能提高清洗效率1倍。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 高频 约束 聚变 装置 第一 进行 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种利用高频场对磁约束聚变装置第一壁进行清洗的方法，其特征在于实现步骤为：(1)在磁约束聚变装置真空室中预先充入0.1‑10Pa的气体；(2)在磁约束聚变装置真空室中布置高频天线，然后以磁约束聚变装置真空室为负极，伸入在磁约束聚变装置真空室中的高频天线为正级，在负极和正极之间施加电压为3‑5KV、频率为20‑50KHz、功率为2‑10KW的高频场；(3)在高频场的电离下，气体被击穿并产生稳定的高频等离子体放电，将对磁约束聚变装置真空室第一壁进行有效的轰击，在经过1‑10小时的放电清洗后，达到对第一壁的清洗。
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