[发明专利]一种氧化钛与氧化铝复合陶瓷绝缘结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201110359868.7 | 申请日： | 2011-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102496429A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 李盛涛;何良;张拓 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01B17/60 | 分类号： | H01B17/60;H01B19/00 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 弋才富 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种氧化钛与氧化铝复合陶瓷绝缘结构及其制备方法，该绝缘结构包括氧化铝陶瓷基体，通过共烧技术在其两端联结有复合陶瓷层，该复合陶瓷层由掺有质量分数为0.5～20％氧化钛的氧化铝基复合陶瓷制成；其制备方法是：(1)将质量分数为0.5～20％的氧化钛和80～99.5％的Al2O3瓷粉混合球磨、干燥制备掺氧化钛的氧化铝基粉料；(2)在石墨模具中依次加入粉料、Al2O3陶瓷粉和粉料，并分别压实，制得生坯；(3)通过真空热压烧结得到氧化钛与氧化铝复合陶瓷绝缘结构；(4)将烧制的绝缘结构进行热处理，得到变介电常数或电阻率的绝缘结构；本发明制备的绝缘结构其介电常数有明显的变化，能够显著的改善真空沿面闪络性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 氧化铝 复合 陶瓷 绝缘 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化钛与氧化铝复合陶瓷绝缘结构，包括氧化铝陶瓷基体，其特征在于：通过共烧技术在氧化铝陶瓷基体两端联结有复合陶瓷层，该复合陶瓷层由掺有质量分数占总质量0.5～20％氧化钛的氧化铝基复合陶瓷制成。
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