[发明专利]二氧化钛纳米蜂窝嵌套纳米线阵列薄膜及制备方法有效
| 申请号： | 201110348865.3 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102383164A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 李家俊;李伟;赵乃勤;师春生;刘恩佐;何春年;杜希文 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26 |
| 代理公司： | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人： | 王小静 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二氧化钛纳米蜂窝嵌套纳米线阵列的薄膜及其制备方法。该薄膜形成于金属钛的基体上的，它由二氧化钛纳米蜂窝和嵌套于纳米蜂窝中心的单根纳米线阵列构成。其制备过程包括，以纯钛材阳极氧化得到二氧化钛纳米管阵列薄膜，再于强碱溶液中浸泡该薄膜，再经酸洗、锻烧得到锐钛矿型二氧化钛纳米蜂窝嵌套纳米线阵列薄膜。本发明方法过程简单，操作方便。制备获得的薄膜内的纳米线直径可以通过控制前期阳极氧化的电压控制。并且其处于蜂窝孔中心，由于对称的毛细力场而不会发生侧弯而与孔壁接触，从而保持了纳米线高度的分离。相对于单独的纳米线或纳米管阵列，该薄膜具有更大的比表面积。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 纳米 蜂窝 嵌套 阵列 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二氧化钛纳米蜂窝嵌套纳米线阵列的薄膜，该薄膜形成于金属钛的基体上的，其特征在于，该薄膜厚度为2～40μm，它由二氧化钛纳米蜂窝和嵌套于纳米蜂窝中心的单根纳米线阵列构成，其中，纳米蜂窝平均孔径为80～95nm，孔壁平均厚度为10hm，纳米线的直径为40～55nm。
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