[发明专利]一种光-栅复合控制的场致发射X射线管有效

专利信息
申请号: 201110339599.8 申请日: 2011-11-01
公开(公告)号: CN102339713A 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: 陈泽祥;任俊;胡添勇 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01J35/02 分类号: H01J35/02;H01J35/04;H01J35/14;H01J35/22
代理公司: 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 代理人: 杨保刚;徐丰
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种光-栅复合控制的场致发射X射线管,包括真空容器、阳极、阳极靶、阴极组件、阴极支座、阴极头,阴极组件固定在阴极支座上,阴极支座固定在阴极头上,阴极头通过绝缘支座与真空容器真空封接,阴极组件包括场致发射阴极、自会聚电极、栅网、陶瓷绝缘体、高耐压晶体管、光电二极管,所述场致发射阴极安装在阴极支座上,陶瓷绝缘柱安装在阴极支座上并位于阴极外侧,栅网安装在陶瓷绝缘柱上,高耐压晶体管安装在阴极支座上,光电二极管安装在阴极支座的侧壁上。本发明的栅极不会截获电子也就不会受到电子的轰击而导致发热变形、烧毁,而且避免使用超高压脉冲电压,大大提高了本发明的可靠性和降低了系统成本。
搜索关键词: 一种 复合 控制 发射 射线
【主权项】:
一种光‑栅复合控制的场致发射X射线管,包括真空容器、阳极、阳极靶,其特征在于:还包括阴极组件、阴极支座、阴极头,阴极组件固定在阴极支座上,阴极支座固定在阴极头上,所述阴极头包含第一引出电极,第二引出电极、第三引出电极、绝缘支座,阴极头通过绝缘支座与真空容器真空封接,第三引出电极与阴极支座连接;所述阴极组件包括场致发射阴极、自会聚电极、栅网、陶瓷绝缘体、高耐压晶体管、光电二极管、第一高压电阻R1和第二高压电阻R2,其中:所述场致发射阴极由基底和设于基底上的场致发射阵列构成,基底安装在阴极支座上,陶瓷绝缘柱安装在阴极支座上并位于基底的外侧,栅网安装在陶瓷绝缘柱上,栅网与场致发射阵列顶端平面平行,自会聚电极设于基底上并将场致发射阵列围于中间,自会聚电极的孔形状与栅网的孔形状一致且中心对准,栅网通过导线连接在阴极头的第二引出电极上;      高耐压晶体管安装在阴极支座上,所述高耐压晶体管为三极管或场效应管,高耐压晶体管的集电极或源极接在阴极支座上,发射极或漏极通过导线接在第一引出电极上,基极或栅极通过第一高压电阻R1连接在栅网上,发射极或漏极与基极或栅极间并联有第二高压电阻R2;光电二极管安装在阴极支座的侧壁上,光电二极管的阴极通过导线连接高耐压晶体管的基极或栅极上,光电二极管的阳极通过导线连接在高耐压晶体管的发射极或漏极上。
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