[发明专利]一种短程硝化反硝化颗粒污泥的培养方法无效
| 申请号： | 201110315549.6 | 申请日： | 2011-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102417238A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 杨凤林;徐光景;徐晓晨 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C02F3/30 | 分类号： | C02F3/30 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 梅洪玉 |
| 地址： | 116024*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种短程硝化反硝化颗粒污泥的培养方法，属于水处理技术领域。其特征是通过采用定期投加5～15mg/L羟胺，逐步提高进水COD、氨氮、磷负荷培养好氧颗粒污泥。本发明的效果是羟胺对NOB的选择抑制性，从而富集AOB和反硝化细菌。由于形成颗粒污泥需要较高的水力剪切力(通过曝气的方式完成)，过高的曝气水平会提高水体中的DO，而短程硝化又需要较低的DO，通过间歇性投加羟胺就解决了这一矛盾。而且羟胺是硝化反应的中间产物，添加少量的羟胺不产生二次污染，是一种市场应用前景广阔启动短程硝化反硝化好氧颗粒污泥培养方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 短程 硝化 颗粒 污泥 培养 方法 | ||
【主权项】：
一种短程硝化反硝化颗粒污泥的培养方法，其特征在于：在ASBR培养颗粒污泥，待颗粒污泥成熟后，间隔2～4天投加一次浓度为5～15mg/L羟胺；培养初期模拟废水指标为COD＝400～650mg/L，NH4+‑N＝50～150mg/L，保持C/N大于4，曝气速率控制在0.02～0.1m3/h使DO维持在5mg/L以上。
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