[发明专利]联机生成硅薄膜双结太阳能电池介反射层技术无效
申请号: | 201110270458.5 | 申请日: | 2011-09-14 |
公开(公告)号: | CN103000767A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 郑佳仁;刘幼海;刘吉人 | 申请(专利权)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201707 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明关于一种可提升普遍使用的双结非晶硅与微晶硅叠层薄膜太阳能电池效率的新颖双结技术方法,其目的系藉由此技术将顶电池的电流密度提升,并可减薄顶电池的本徵层厚度,同时也减少了光衰现象,最大特点为所有工艺不需昂贵的气体使用,即可达成高效率低成本的大量生产目标。本发明为一种可取代现有的双结氢化非晶硅与微晶硅双结太阳能电池的氧化锌介反射层新颖发明,利用二氧化碳的等离子表面处理技术引进,形成低反射率的硅氧键结介反射层生成物,形成一全反射条件,而加强利用入射光,造成顶电池的电流密度提升,而达成高效率、低成本的硅薄膜太阳电池广泛应用的目标。 | ||
搜索关键词: | 联机 生成 薄膜 太阳能电池 反射层 技术 | ||
【主权项】:
本发明为一种可取代现有的双结氢化非晶硅与氢化微晶硅氧化锌介反射层的新颖发明,利用二氧化碳的等离子处理技术引进,形成一低折射率的硅氧键结生成物,可加强利用入射光,而增强了顶电池的电流密度,同时亦可减少顶电池的本徵层厚度,进而减少光衰现象,达成高效率、低成本的硅薄膜太阳能电池生产目标,流程为先在透明导电前电极薄膜上依序利用等离子增强式化学气相沉积设备沉积氢化P型非晶硅薄膜、氢化本征层非晶硅薄膜、氢化N型微晶硅薄膜,接着再依序沉积氢化P型微晶硅薄膜、氢化本征层非晶硅薄膜、氢化N型非晶硅薄膜,最后沉积金属氧化物反射层和金属背导电层薄膜,而本发明中的关键是在顶电池制备后,引入二氧化碳并经由流量的控制,施加偏压与利用射频形成等离子体,如此可对顶电池的氦化微晶硅薄膜进行表面处理并形成硅氧键结,此生成物即为一较低折射率的介反射层,实现光由高折射率进入低折射率的全反射条件,可达到一般氧化锌介反射层的功用,但经由此技术可不必将整个顶电池于真空态取出,亦不需经由其他工艺来形成此介反射层,可实现工艺的一致性,节省设备的支出,亦即所谓的联机生成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的