[发明专利]一种多晶硅剖方工艺和硅锭翻转机构无效
| 申请号： | 201110262961.6 | 申请日： | 2011-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102310490A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 孟高祥;袁华均;傅建根;朱卫峰;孙力峰 | 申请（专利权）人： | 浙江精功新能源有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04;B28D7/00 |
| 代理公司： | 绍兴市越兴专利事务所 33220 | 代理人： | 蒋卫东 |
| 地址： | 312030 浙江省绍兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种多晶硅剖方工艺包括下述步骤：将硅锭进行180度翻转，在硅锭底部开始进行线切割。在初始切割的80mm范围内用低速进给进行切割，然后逐步加速至正常速度进给切割。硅锭翻转机构的左翻转臂和右翻转臂都销接在机座上，在液压传动装置作用下可以沿销轴摆动，调节托架的上面有软垫层，用来保护铸锭表面不被划伤，调节托架下部有高度调节螺丝。由于翻转臂设计成开放式平台，对硅锭的大小适应范围广，而且在液压系统操控下，在翻转过程中没有滑移，不会造成对硅锭的磕碰损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅剖方 工艺 翻转 机构 | ||
【主权项】：
一种多晶硅剖方工艺，其特征在于包括下述步骤：将硅锭进行180度翻转，使其底部朝上；将铸锭时形成的上表面用粘结剂固定在切割台上，在铸锭时形成的硅锭底部开始进行线切割；在初始切割的80MM范围内用低速进给进行切割，进给速度为正常速度的60‑80%，然后逐步加速至正常速度进给切割。
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