[发明专利]可有效提升非晶硅薄膜太阳能电池发电效率的新型制程无效
| 申请号： | 201110229404.4 | 申请日： | 2011-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN102931292A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 陈政宏;刘幼海;刘吉人 | 申请（专利权）人： | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201707 上海市青*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明主要目的系一种可有效提升非晶硅薄膜太阳能电池发电效率的新型制程，此技术方法其结构利用P层微晶硅取代传统的P层非晶硅，并增加一层宽能隙的非晶硅半导体层于P型微晶硅半导体层及本质型半导体层之间，其目的在于能够获得更高的发电效率。 | ||
| 搜索关键词： | 有效 提升 非晶硅 薄膜 太阳能电池 发电 效率 新型 | ||
【主权项】：
一种可有效提升非晶硅薄膜太阳能电池发电效率的新型制程，此技术方法其结构利用P层微晶硅取代传统的P层非晶硅，并增加一层宽能隙的非晶硅半导体层于P型微晶硅半导体层及本质型半导体层之间，其目的在于能够获得更高的发电效率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
