[发明专利]锑基二元相变薄膜无效
| 申请号： | 201110229226.5 | 申请日： | 2011-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN102332275A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 梁广飞;王阳;吴谊群 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G11B7/242 | 分类号： | G11B7/242 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种锑基二元相变薄膜，包括铝锑二元相变薄膜和锌锑(ZnxSby)二元相变薄膜。该锑基二元相变薄膜(AlSb、ZnSb)的特点是：利用磁控溅射设备，经过金属(Al、Zn)靶和Sb靶两靶共溅，在清洁的基片上制备出锑基二元相变材料薄膜，通过改变溅射条件可以控制薄膜的成分，本发明锑基二元相变薄膜具较快的相变速度和较高的反射率对比度。 | ||
| 搜索关键词： | 二元 相变 薄膜 | ||
【主权项】：
一种铝锑二元相变薄膜，其特征在于：利用磁控溅射设备，经过金属铝(Al)靶和锑(Sb)靶共溅在清洁的基片(1)上制备出铝锑相变薄膜层(3)，通过改变溅射条件控制薄膜的成分和厚度，该铝锑相变薄膜层(3)的结构为AlxSby，其中Al的原子百分比x在3.8‑14.6％之间，所述基片(1)为厚度为0.6或1.2mm的聚碳酸酯(PC)；所述的铝锑相变薄膜层(3)为厚度为20～200nm的AlSb。
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