[发明专利]高磁导率高居里温度NiZn铁氧体材料及制备方法有效
| 申请号： | 201110215629.4 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102390984A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 余忠;孙科;蒋晓娜;兰中文;郭荣迪;许志勇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/26 | 分类号： | C04B35/26;C04B35/622 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 高磁导率高居里温度NiZn铁氧体材料，属于铁氧体材料制备技术领域。本发明组分包括主料和掺杂剂，其特征在于：以氧化物计算，主料为：48.5～49.9mol％Fe2O3，31.0～34.0mol％ZnO，4.0～8.0mol％CuO，余量为NiO；以氧化物计算，并以主料为参考基准，按重量百分比，掺杂剂为：0.001～0.30wt％MoO3、0.001～0.20wt％V2O5、0.01～0.40wt％Bi2O3、0.001～0.05wt％Nb2O5、0.001～0.08wt％TiO2。本发明具有的高磁导率可获得低的漏感系数，有利于拓宽器件的工作频带；高居里温度可拓宽器件的工作温度范围，有利于器件在不同的环境下工作；高电阻率可避免宽带器件在MHz频段出现电子打火问题，提高系统和器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 磁导率 居里 温度 nizn 铁氧体 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
高磁导率高居里温度NiZn铁氧体材料，组分包括主料和掺杂剂，其特征在于：以氧化物计算，主料为：48.5～49.9mol％Fe2O3，31.0～34.0mol％ZnO，4.0～8.0mol％CuO，余量为NiO；以氧化物计算，并以主料为参考基准，按重量百分比，掺杂剂为：0.001～0.30wt％MoO3、0.001～0.20wt％V2O5、0.01～0.40wt％Bi2O3、0.001～0.05wt％Nb2O5、0.001～0.08wt％TiO2。
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