[发明专利]单片集成光学陀螺用声光移频器

摘要

单片集成光学陀螺用声光移频器属于集成光学技术领域。现有采用LiNbO3波导材料制作的声光移频器其光波导损耗比较大，由于LiNbO3基片是一种电介质材料，致使无法以其为基片制作光源，从而无法实现光学陀螺的完全的单片集成。本发明其特征在于，衬底为Si衬底，SiO2下包层位于Si衬底上；具有Ge-SiO2芯层的衍射通道与未衍射通道位于SiO2下包层上；Ge-SiO2芯层截面形状为矩形；SiO2上包层覆盖Ge-SiO2芯层及SiO2下包层上表面未被Ge-SiO2光波导占用的部分；换能器由ZnO压电膜及叉指底电极构成并位于SiO2上包层上，ZnO压电膜的厚度等于0.4个声表面波波长；叉指底电极位于换能器底部。

主权项

单片集成光学陀螺用声光移频器其光波导、换能器位于衬底上；光波导的衍射通道(1)与未衍射通道(2)以偏转角Φ相交，形成光通道交叉区(3)；换能器位于衍射通道(1)与未衍射通道(2)相交的一侧；换能器声孔径朝向光通道交叉区(3)，声孔径轴线与未衍射通道(2)轴线呈布拉格角θB的补角，声孔径宽度L与光通道交叉区宽度W相等；其特征在于，衬底为Si衬底(4)，SiO2下包层(5)位于Si衬底(4)上；具有Ge‑SiO2芯层(6)的衍射通道(1)与未衍射通道(2)位于SiO2下包层(5)上；Ge‑SiO2芯层(6)截面形状为矩形；SiO2上包层(7)覆盖Ge‑SiO2芯层(6)及SiO2下包层(5)上表面未被Ge‑SiO2光波导(6)占用的部分；换能器由ZnO压电膜(8)及叉指底电极(9)构成并位于SiO2上包层(7)上，ZnO压电膜(8)的厚度等于0.4个声表面波波长；叉指底电极(9)位于换能器底部。