[发明专利]弯曲平板波过敏感测器及其制造方法

摘要

本发明弯曲平板波过敏感测器的制造方法是利用电化学硅蚀刻停止工艺，蚀刻表面声波元件的N型磊晶硅层达到3微米以内，并加入反射栅极且结合自我组装单分子层以形成弯曲平板波过敏感测器。所述反射栅极可使波传的能量损失降低，并使后续的元件测量与电路设计更加容易。本发明的弯曲平板波过敏感测器具有高准确度、高灵敏度、低操作频率、检测时间短以及成本较低等优点。

主权项

一种弯曲平板波过敏感测器的制造方法，包括以下步骤：(a)提供衬底，所述衬底的第一侧由外而内依序包含阻绝层、P型硅层和N型磊晶硅层，所述阻绝层包含开孔，所述开孔显露部分所述P型硅层；(b)在所述衬底的第二侧形成交指式电极，所述第二侧与所述第一侧相对；(c)在所述交指式电极的两侧形成反射栅极；(d)进行电化学硅蚀刻停止工艺，用以蚀穿所述P型硅层和蚀刻所述N型磊晶硅层，依据钝化时间蚀刻所述N型磊晶硅层，以形成N型磊晶硅薄膜，所述N型磊晶硅薄膜的厚度在3微米以内；(e)在所述N型磊晶硅薄膜的表面形成金属层；及(f)在所述金属层的表面形成自我组装单分子层，所述自我组装单分子层具有多个自我组装单分子和多个免疫球蛋白E抗体，每一自我组装单分子具有醛基且间隔地设置于所述金属层的表面，每一免疫球蛋白E抗体具有头端氨基和结合端，所述头端连接所述醛基，所述结合端用以与免疫球蛋白E抗原结合。